12th Physics Quiz(Test) 2024 Series-3

प्रकाश की किरण को तीखे कोर से मूरने है कि क्रिया कहलाती है |||The action to shoot a ray of light with a sharp edge is called

ध्रुव प्रबलता का S.i मात्रक होता है|||
S.i unit of pole strength is ?

निम्नांकित में मूल्य का नहीं है|||Not of value in the following

p-प्रकार के अर्द्धचालक में मुख्य धारावाहक होता है |||The main current in p-type semiconductor is

प्रकाश तंतु संचार निम्न में से किस घटना पर आधारित है।|||Light fiber communication is based on which of the following phenomena?

बिंदु स्रोत से चलने वाली प्रकाश की किरणें परावर्तन के बाद परस्पर समांतर हो सकती है|||Rays of light traveling from a point source can become parallel to each other after reflection

एक व्यक्ति अपने चश्मे के लेंसों को फ्रेम में घूमाता है। और पता है की समंजन गड़बड़ा गया है इससे पता चलता है कि जिस प्रकार की दृष्टि दोष है वह है|||A man moves the lenses of his glasses in the frame. And know that the adjustment has gone wrong, it shows that the type of vision defect is

n अपवर्तनांक तथा A प्रिज्म कोण वाले पतले प्रिज्म का न्यूनतम विचलन कोण होता है।|||A thin prism having refractive index n and A prism angle has minimum deviation.

प्लांट स्थिरांक की वीमा है:||The dimensional of the plant constant is:

निकट दृष्टि दोष दूर करने के लिए उपयुक्त लेंस है:||The lens suitable for correcting myopia is:

स्वस्थ व्यक्ति के लिए स्पष्ट दृष्टि की अधिक्तम दूरी होती है |||The mixnimum distance of clear vision for a healthy person is

किसी चुंबक का चुंबकीय आघूर्ण है:|||The magnetic moment of a magnet is:

निम्नलिखित में से किस रंग की तरंगदैर्ध्य न्यूनतम होती है||| Which of the following colors has the shortest wavelength

जितने समय में किसी रेडियो ऐक्टिव पदार्थ की राशि अपने प्रारंभिक परिमाण की आधी हो जाती है उसे कहते हैं|||The time in which the amount of a radioactive substance becomes half of its initial magnitude is called

यदि किसी लेंस की फोकस दूरी f मीटर हो तो इसकी क्षमता का मान होगा|||If the focal length of a lens is f m, then the value of its power will be

वस्तु से बड़ आभासी प्रतिबिंब बनता है||Large virtual image is formed from the object

एक सरल सूक्ष्मदर्शी से बना हुआ प्रतिबिंब होता है ||The image formed by a simple microscope is

पहाड़ों पर जल का क्वथनांक कम हो जाता है, क्योंकि||||The boiling point of water decreases on mountains because

E तीव्रता के विद्युत क्षेत्र में P द्विध्रुव आघूर्ण वाले विद्युत द्विध्रुव पर लगने वाला बल आघूर्ण है|||The moment of force acting on an electric dipole having dipole moment P in an electric field of intensity E is

एक अष्टफलक रिक्ति निम्नलिखित में कितने गोलों से घिरा होता है
An octahedral void is surrounded by which of the following number of spheres

विद्युत क्षेत्र E तथा V में संबन्ध होता है:|||The relation between electric fields E and V is:

विद्युतीय क्षेत्र का मात्रक है|||The unit of electric field is

निम्नलिखित में किस प्रकार के दोष के कारण क्रिस्टल के घनत्व में कमी होती है|||Which of the following type of defect causes a decrease in the density of a crystal?

जब नेत्र लेंस की क्षमता बढ़ जाती है जिससे दूर वस्तुओं से आने वाली किरणें रेटीना के पहले ही फोकस हो जाती है तब व्यक्ति को दोष होता है ||When the power of the eye lens increases, due to which the rays coming from distant objects are focused before the retina, then the person has a defect.

यदि 0.005 ओम के एक प्रतिरोध को 1 मेगा-ओम प्रतिरोध के समांतर क्रम में जोड़ दिया जाए तो तुल्य प्रतिरोध होगा|||a resistance of 0.005 ohm is connected in parallel to a 1 mega-ohm resistance, the equivalent resistance will be

वैसा घोल जो एक निश्चित ताप पर संयोजन में बिना किसी प्रकार के परिवर्तन के उबलता है, उसे कहते है |||A solution which boils at a certain temperature without any change in composition is called

सरल सूक्ष्मदर्शी से बना हुआ प्रतिबिंब होता है||The image formed by a simple microscope is

बूस्टर का नियम है||Booster's rule is

तीन लेंस जिनकी फोकस दूरी 20 सेमी, -30 सेमी और 60 सेमी है एक-दूसरे से सटे रखे हैं इससे संयोजन की फोकस दूरी होगी|||Three lenses whose focal lengths are 20 cm, -30 cm and 60 cm are placed adjacent to each other so the focal length of the combination will be

ताप बढ़ने के साथ अर्द्धचालक का प्रतिरोध|||Resistance of semiconductor with increase in temperature