12th Physics Quiz(Test) 2024 Series-3

निम्नलिखित में से किस रंग की तरंगदैर्ध्य न्यूनतम होती है||| Which of the following colors has the shortest wavelength

एक सरल सूक्ष्मदर्शी से बना हुआ प्रतिबिंब होता है ||The image formed by a simple microscope is

n अपवर्तनांक तथा A प्रिज्म कोण वाले पतले प्रिज्म का न्यूनतम विचलन कोण होता है।|||A thin prism having refractive index n and A prism angle has minimum deviation.

वैसा घोल जो एक निश्चित ताप पर संयोजन में बिना किसी प्रकार के परिवर्तन के उबलता है, उसे कहते है |||A solution which boils at a certain temperature without any change in composition is called

बूस्टर का नियम है||Booster's rule is

तीन लेंस जिनकी फोकस दूरी 20 सेमी, -30 सेमी और 60 सेमी है एक-दूसरे से सटे रखे हैं इससे संयोजन की फोकस दूरी होगी|||Three lenses whose focal lengths are 20 cm, -30 cm and 60 cm are placed adjacent to each other so the focal length of the combination will be

ध्रुव प्रबलता का S.i मात्रक होता है|||
S.i unit of pole strength is ?

एक अष्टफलक रिक्ति निम्नलिखित में कितने गोलों से घिरा होता है
An octahedral void is surrounded by which of the following number of spheres

जितने समय में किसी रेडियो ऐक्टिव पदार्थ की राशि अपने प्रारंभिक परिमाण की आधी हो जाती है उसे कहते हैं|||The time in which the amount of a radioactive substance becomes half of its initial magnitude is called

यदि 0.005 ओम के एक प्रतिरोध को 1 मेगा-ओम प्रतिरोध के समांतर क्रम में जोड़ दिया जाए तो तुल्य प्रतिरोध होगा|||a resistance of 0.005 ohm is connected in parallel to a 1 mega-ohm resistance, the equivalent resistance will be

E तीव्रता के विद्युत क्षेत्र में P द्विध्रुव आघूर्ण वाले विद्युत द्विध्रुव पर लगने वाला बल आघूर्ण है|||The moment of force acting on an electric dipole having dipole moment P in an electric field of intensity E is

विद्युत क्षेत्र E तथा V में संबन्ध होता है:|||The relation between electric fields E and V is:

p-प्रकार के अर्द्धचालक में मुख्य धारावाहक होता है |||The main current in p-type semiconductor is

निम्नलिखित में किस प्रकार के दोष के कारण क्रिस्टल के घनत्व में कमी होती है|||Which of the following type of defect causes a decrease in the density of a crystal?

विद्युतीय क्षेत्र का मात्रक है|||The unit of electric field is

निम्नांकित में मूल्य का नहीं है|||Not of value in the following

प्रकाश की किरण को तीखे कोर से मूरने है कि क्रिया कहलाती है |||The action to shoot a ray of light with a sharp edge is called

प्लांट स्थिरांक की वीमा है:||The dimensional of the plant constant is:

एक व्यक्ति अपने चश्मे के लेंसों को फ्रेम में घूमाता है। और पता है की समंजन गड़बड़ा गया है इससे पता चलता है कि जिस प्रकार की दृष्टि दोष है वह है|||A man moves the lenses of his glasses in the frame. And know that the adjustment has gone wrong, it shows that the type of vision defect is

निकट दृष्टि दोष दूर करने के लिए उपयुक्त लेंस है:||The lens suitable for correcting myopia is:

किसी चुंबक का चुंबकीय आघूर्ण है:|||The magnetic moment of a magnet is:

वस्तु से बड़ आभासी प्रतिबिंब बनता है||Large virtual image is formed from the object

जब नेत्र लेंस की क्षमता बढ़ जाती है जिससे दूर वस्तुओं से आने वाली किरणें रेटीना के पहले ही फोकस हो जाती है तब व्यक्ति को दोष होता है ||When the power of the eye lens increases, due to which the rays coming from distant objects are focused before the retina, then the person has a defect.

सरल सूक्ष्मदर्शी से बना हुआ प्रतिबिंब होता है||The image formed by a simple microscope is

बिंदु स्रोत से चलने वाली प्रकाश की किरणें परावर्तन के बाद परस्पर समांतर हो सकती है|||Rays of light traveling from a point source can become parallel to each other after reflection

पहाड़ों पर जल का क्वथनांक कम हो जाता है, क्योंकि||||The boiling point of water decreases on mountains because

स्वस्थ व्यक्ति के लिए स्पष्ट दृष्टि की अधिक्तम दूरी होती है |||The mixnimum distance of clear vision for a healthy person is

प्रकाश तंतु संचार निम्न में से किस घटना पर आधारित है।|||Light fiber communication is based on which of the following phenomena?

यदि किसी लेंस की फोकस दूरी f मीटर हो तो इसकी क्षमता का मान होगा|||If the focal length of a lens is f m, then the value of its power will be

ताप बढ़ने के साथ अर्द्धचालक का प्रतिरोध|||Resistance of semiconductor with increase in temperature